关于固态

固态硬盘（SSD）的存储颗粒主要有以下几种类型：SLC、MLC、TLC、QLC，以及最新的 PLC。它们的全名以及基本特性如下：

**SLC (Single-Level Cell)**：SLC 是最早的 NAND 闪存类型，每个单元只存储 1 位数据（0 或 1）。因为只需要处理两种状态，SLC 闪存的读写速度最快，耐用度也最高，可以承受大约 100,000 次的写入/擦除周期。然而，其存储密度较低，成本也最高。
**MLC (Multi-Level Cell)**：MLC 可以在每个单元中存储 2 位数据，因此相比 SLC，其存储密度翻倍。然而，由于需要处理四种状态（00, 01, 10, 11），MLC 的读写速度和耐用度相比 SLC 都有所下降，大约可以承受 3,000 到 10,000 次的写入/擦除周期。
**TLC (Triple-Level Cell)**：TLC 在每个单元中存储 3 位数据，存储密度进一步提高。但是，由于需要处理八种状态，相比 MLC，TLC 的读写速度和耐用度都会进一步下降，大约可以承受 300 到 1,000 次的写入/擦除周期。
**QLC (Quad-Level Cell)**：QLC 是相对较新的技术，每个单元存储 4 位数据，存储密度更高。然而，需要处理十六种状态，因此 QLC 的读写速度和耐用度都比 TLC 更低，大约可以承受 100 到 300 次的写入/擦除周期。
**PLC (Penta-Level Cell)**：PLC 是最新的 NAND 闪存技术，每个单元可以存储 5 位数据。然而，由于需要处理三十二种状态，PLC 的读写速度和耐用度预计会进一步下降。

以上的读写速度、耐用度和成本都是相对的，不同的产品可能会有所不同。例如，通过使用更复杂的控制器和错误纠正技术，可以提高 MLC、TLC、QLC 和 PLC 闪存的性能和寿命。